電容電壓特性測(cè)試儀 電壓特性測(cè)試儀

電容電壓特性測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介 
     CV法利用PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘在反向偏壓時(shí)的電容特性，可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息，這類測(cè)量成為C-V測(cè)量技術(shù)。這種測(cè)量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度分布的信息。  
組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容），加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓是，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變寬，勢(shì)壘電容變小。  
KCV-300電容電壓（C-V）特性測(cè)試儀是測(cè)試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測(cè)試儀器，專用于測(cè)量半導(dǎo)體器件PN結(jié)的勢(shì)壘電容在不同偏壓下的電容量，也可測(cè)試其它電容。  
儀器有較高的分辨率，電容量是四位讀數(shù)，可分辨到0.001pF，偏置電壓分辨率為0.01V，漏電流分辨率為0.01μA。  電容電壓特性測(cè)試儀 電壓特性測(cè)試儀
該測(cè)試儀器性能穩(wěn)定可靠，功能齊全，精度高，操作簡(jiǎn)單，適用于元件，科研部門(mén)，高等院校等單位。  
電容電壓特性測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)如下：  
測(cè)試信號(hào)頻率：1.000MHz±0.01%  
測(cè)試信號(hào)電壓：≤100mVrms  
電容測(cè)量范圍：0.001pF～10000 pF  
誤差：≤±3%  
直流偏壓：自帶偏壓0.01～45V，可外接偏壓源拓展；  
漏電流：0.1～199.9μA  
供電電源：AC220V 50Hz  
消耗功率：<40W

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